專(zhuān)注于半導(dǎo)體行業(yè)/電子行業(yè)/電器元件等行業(yè)的產(chǎn)品外包裝
021-51698795
晶棒成長(zhǎng) -- 晶棒裁切與檢ce -- 外徑研磨 -- 切片 -- 圓邊 -- 表層研磨 -- 蝕刻 -- 去疵 -- 拋光 -- 清洗 -- 檢驗(yàn) -- 包裝
1、晶棒成長(zhǎng)工序：它又可細(xì)分為：
1）、融化（Melt Down）：將塊狀的高純度復(fù)晶硅置于石英坩鍋內(nèi)，加熱到其熔點(diǎn)1420°C以上，晶圓包裝機(jī)使其完quan融化。
2）、頸部成長(zhǎng)（Neck Growth）：待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將〈1.0.0〉方向的晶種慢慢插入其中，接著將晶種慢慢往上提sheng，使其直徑縮小到一定尺寸（一般約6mm左右），維持此直徑并拉長(zhǎng)100-200mm，以消cu晶種內(nèi)的晶粒排列取向差異。
3）、晶冠成長(zhǎng)（Crown Growth）：頸部成長(zhǎng)完成后，慢慢降di提sheng速度和溫度，使頸部直徑逐漸加da到所需尺寸（如5、6、8、12寸等）。
4）、晶體成長(zhǎng)（Body Growth）：不斷調(diào)整提sheng速度和融煉溫度，維持固定的晶棒直徑，直到晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)定值。
5）、尾部成長(zhǎng)（Tail Growth）：當(dāng)晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)定值后再逐漸加快提sheng速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，以避免因熱應(yīng)力造成排差和滑移等現(xiàn)象產(chǎn)生，zui終使晶棒與液面完quan分離。到此即得到一根完整的晶棒。
2、晶棒裁切與檢ce（Cutting & Inspection）：將長(zhǎng)成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分，并對(duì)尺寸進(jìn)行檢ce，以決定下步加工的工藝參數(shù)。
3、外徑研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成長(zhǎng)過(guò)程中，其外徑尺寸和圓度均有一定偏差，其外園柱面也凹凸不平，所以必須對(duì)外徑進(jìn)行修整、研磨，使其尺寸、晶圓包裝機(jī)形狀誤差均小于允許偏差。
4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度hen大，所以在本工序里，采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。
5、圓邊（Edge Profiling）：由于剛切下來(lái)的晶片外邊緣很鋒利，硅單晶又是脆性材料，為避免邊角崩裂影響晶片強(qiáng)度、破壞晶片表面光潔和對(duì)后工序帶來(lái)污染顆粒，必須用專(zhuān)用的電腦控制設(shè)備自動(dòng)修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸。
6、研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割時(shí)在晶片表面產(chǎn)生的鋸痕和破損，使晶片表面達(dá)到所要求的光潔度。
